도시바메모리-웨스턴디지털, 日에 3D 플래시메모리 팹 완공

[아이뉴스24 윤선훈 기자] 일본 도시바메모리와 미국 웨스턴디지털이 일본에 공동으로 최신 반도체 제조라인 '팹6'와 '메모리 R&D센터'의 건립을 완료했다고 19일 밝혔다.

이날 양측은 일본 미에현 욧카이치시에서 준공식을 가졌다.

도시바메모리는 지난 2017년 2월 3D 플래시 메모리 전용 제조시설인 팹(Fab)6의 착공에 돌입했다. 도시바메모리와 웨스턴디지털은 해당 라인에 디포지션(deposision, 증착), 에칭(etching, 식각) 등 주요 생산 공정을 위한 최첨단 제조 설비를 구축했다. 양사는 이달 초부터 신규 제조라인에서 96단 3D 플래시 메모리 양산을 본격적으로 시작했다.

팹6와 인접한 곳에 건립된 메모리 R&D 센터는 지난 3월부터 운영을 시작해 앞으로 3D 플래시 메모리 개발과 관련된 연구를 수행할 예정이다.

도시바메모리와 웨스턴디지털은 글로벌 낸드플래시 2·3위 업체다. 1위인 삼성전자와는 점유율 차이가 있다. 양측은 삼성전자와 경쟁하기 위해 지속적으로 힘을 합치고 있다.

웨스턴디지털 관계자는 "도시바메모리와 웨스턴디지털은 경쟁력 강화를 위한 적극적인 원천 기술 개발, 3D 플래시 메모리 기술 발전을 위한 양사의 협력관계 확대 및 시장 트렌드에 따른 지속적인 투자를 통해 메모리 업계 리더십을 지속적으로 구축 및 확대해 나갈 예정"이라고 말했다.

스티브 밀리건 웨스턴디지털 CEO는 "웨스턴디지털은 소비자용 제품부터 모바일 애플리케이션, 클라우드 데이터센터에 이르는 폭넓은 시장 기회에 부응하기 위해 96단 3D 낸드의 생산을 늘리고 있다"며 "최첨단 제조 시설인 팹6를 통해 앞으로도 기술력과 가격경쟁력을 확보하고 업계 리더로서의 입지를 강화해 나갈 것"이라고 말했다.

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