삼성전자 메모리 초격차…14나노 D램 양산 돌입


[조이뉴스24 정지원 기자] 삼성전자가 극자외선(EUV) 공정을 적용한 업계 최선단 14나노 D램 양산에 돌입했다.

삼성전자는 업계에서 유일하게 EUV 멀티레이어 공정을 적용해 최선단 14나노 D램을 구현했다고 12일 밝혔다.

이 회사는 반도체 회로를 세밀하게 구현할 수 있는 EUV 노광 기술을 적용해 D램의 성능과 수율을 향상시키는 데 힘써왔다. 지난해 3월 업계 최초로 EUV 공정을 적용한 D램 모듈을 고객사들에게 공급한 바 있으며, 이번엔 14나노 이하 D램 미세 공정에서도 경쟁력을 확보했다.

삼성전자 14나노 DDR5 D램 [사진=삼성전자]

5개의 레이어에 EUV 공정이 적용된 삼성전자 14나노 D램은 업계 최고의 웨이퍼 집적도로 이전 세대 대비 생산성이 약 20%, 소비 전력은 약 20% 개선됐다는 게 회사 측 설명이다.

삼성전자는 이번 신규 공정을 최신 DDR5(Double Data Rate 5) D램에 가장 먼저 적용한다.

DDR5는 최고 7.2Gbps의 속도로 DDR4 대비 속도가 2배 이상 빠른 차세대 D램 규격으로 최근 인공지능, 머신러닝 등 데이터를 이용하는 방식이 고도화 되면서 데이터센터, 슈퍼컴퓨터, 기업용 서버 시장 등에서 고성능 DDR5에 대한 수요가 커지고 있다.

삼성전자는 고용량 데이터 시장 수요에 적극 대응하기 위해 이번 공정으로 단일 칩 최대 용량인 24Gb D램까지 양산할 계획이다.

이주영 삼성전자 전무는 "고용량, 고성능 뿐만 아니라 높은 생산성으로 5G·AI·메타버스 등 빅데이터 시대에 필요한 최고의 메모리 솔루션을 공급해 나가겠다"고 말했다.

/정지원 기자(jeewonjeong@joynews24.com)







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