인텔 "EUV 공정, 성능 20% 높이고 전력소모 40% 줄인다"

[아이뉴스24 민혜정 기자] 인텔이 극자외선(EUV)이 적용되는 '인텔4'(약 7나노미터) 공정이 인텔7(약 10나노)보다 성능은 20% 높아지고, 전력소모는 40% 감소한다고 밝혔다.

인텔은 13일(현지시간) 미국 하와이에서 개최된 학술행사 'IEEE VLSI'에서 인텔4 공정에 대한 정보를 공개했다.

인텔4 공정은 EUV 장비를 활용하며 현재 12세대 코어 프로세서 등에 적용되는 인텔7 공정 대비 트랜지스터 집적도는 최대 2배, 성능은 최대 20% 향상된다. 인텔은 나노미터 대신 '인텔7' '인텔4', '인텔3', '인텔 20A', '인텔 18A' 같은 자사만의 숫자를 써서 공정 기술의 개선을 알리고 있다. 인텔7은 현재 인텔이 양산 중인 10나노 슈퍼핀 공정의 업그레이드버전, 인텔4는 과거 인텔의 7나노로 불렸던 공정이다.

또 인텔4는 인텔7 공정 대비 같은 전압으로 전력 소모는 40% 가량 줄인다는 게 인텔 측 설명이다.

인텔은 지난해 7월 '인텔4'부터 극자외선(EUV) 노광장비를 도입한다고 발표했다. 삼성전자, SK하이닉스 등 반도체 업체들이 도입한 EUV는 기존 공정에 적용 중인 불화아르곤 광원보다 파장이 훨씬 짧기 때문에 더 미세하게 패턴을 새길 수 있다.

인텔은 인텔7 공정까지 EUV 대신 심자외선(DUV)으로 웨이퍼에 위에 여러 번 회로도를 겹쳐 그리는 방식(멀티패터닝)으로 제품을 생산했다. 그러나 생산 시간, 원가 상승, 추가 장비 투입 등을 고려할 때 비효율적이라 고민이 많았다.

EUV는 DUV보다 10배 이상 짧아진 파장을 통해 멀티 패터닝 기술 없이 미세 공정을 구현할 수 있기 때문에 인텔도 EUV를 도입하기로 했다.

인텔4 공정에서 생산될 첫 제품은 내년 하반기 출시될 14세대 코어 프로세서 '메테오레이크'다.

인텔 관계자는 "EUV를 전면 도입하면 초단파 빛을 사용해 매우 세밀하게 (회로를) 인쇄할 수 있다"며 "인텔4는 내년 출시될 소비자 PC용 메테오레이크 프로세서 등을 위해 하반기에 생산에 들어갈 예정"이라고 말했다.

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