DB하이텍, 8인치 SiC 반도체 파운드리 출사표

[아이뉴스24 민혜정 기자] DB하이텍이 8인치 실리콘카바이드(SiC) 전력반도체 파운드리 사업에 출사표를 던졌다. 급증하고 있는 전기차용 반도체 수요에 대응하겠다는 전략이다.

10일 업계에 따르면 DB하이텍은 국책 과제로 8인치 웨이퍼 기반 SiC 전력 반도체를 위탁 생산할 예정이다.

DB하이텍은 SiC 모스펫(MOSFET)을 가진 전력 반도체를 생산할 계획이다. 모스펫은 스위칭 및 전자 장치의 전자 신호 증폭에 널리 사용되는 반도체 장치다. SiC 모스펫은 실리콘 기반 반도체 대비 전압은 10배, 열 내구성은 3배 이상 강하다. 전력 효율이 높아 전력 반도체 시장에서 수요가 많아지고 있다.

현재 DB하이텍은 8인치 공정으로 고객사의 전력관리반도체(PMIC), 디스플레이구동칩(DDI), 이미지센서(CIS) 등을 생산한다. SiC 반도체를 생산하고 있는데 차세대 전력반도체로 파운드리 사업을 확장할 수 있을 전망이다.

DB하이텍은 8인치 웨이퍼 기반 반도체 공급난이 벌어지며 승승장구하고 있다.

8인치 웨이퍼는 2000년대 중반 12인치 웨이퍼 등장으로 입지가 줄어들었다. 다품종 소량생산에 적합하지만 생산성이 낮고 원가경쟁력도 떨어진다는 이유에서다. 그러나 8인치 웨이퍼는 코로나19 사태로 반도체 공급 문제가 커지면서 다시 주목 받고 있다. DB하이텍은 이같은 업황에 힘입어 지난해 사상 처음으로 연매출이 1조원을 돌파했다

DB하이텍은 올해 사업 목표 중 하나로 전력반도체 경쟁력 제고를 내걸기도 했다.

최창식 DB하이텍 부회장은 지난 3월 주주총회에서 "세계 최고 수준의 경쟁력을 보유한 전력반도체 분야에서 경쟁력을 공고히 하겠다"며 "초격차 기술 우위를 유지하고, 신규 공정과 제품에 대한 선진기술 확보를 통해 시장을 선점해 나가는 데 중점을 두겠다"고 강조했다.

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