SK하이닉스, '분석기술센터' 출범…"분석처리 능력 30% 향상"

[아이뉴스24 장유미 기자] SK하이닉스가 흩어져 있던 분석 인력과 인프라를 한 데 모아 운영 시스템을 일원화 함으로써 분석처리 능력을 끌어올린다.

SK하이닉스는 지난 7월 운영 최적화 차원에서 분석 기술 인력·장비들을 한 곳에 모은 '분석기술센터'를 통합 출범시켰다고 4일 밝혔다. '원 랩(One Lab)' 체계로 분석 관련 운영 시스템 일원화해 연구개발과 품질 경쟁력을 높이고, 올해 분석처리 능력을 30% 이상 향상시키겠다는 목표도 세웠다.

분석기술센터 구성원이 고성능 집속이온빔(FIB-SEM) 장비로 반도체 제품의 단면 시료를 제작하고 있는 모습. [사진=SK하이닉스 ]

SK하이닉스는 P&T1 건물 1층에 7천500㎡(약 2천250평) 규모로 분석기술센터를 설립했다. 전사적인 솔루션 경쟁력 강화를 위해 해당 건물 2층에 동일한 규모의 '솔루션 랩'도 구축했다.

기존에는 관련 인력과 장비들이 이천캠퍼스 5곳의 건물에 흩어져 있어 협업 효율성이 떨어지고 장비 투자와 운영에 일부 중복되는 부분이 발생했다. 또 장비 유지 보수 측면에서도 작업자의 동선이 길어져 시간이 오래 걸리는 데다 업무 지연에 따른 비효율도 발생했다.

이기정 SK하이닉스 분석기술센터장은 "여러 분야의 전문가들이 한 공간에서 활발하게 상호 협력하며 협업할 수 있게 됐다"며 "분석 난제를 해결하는 데 필요한 첨단 장비들을 공유하는 분석 환경 속에서 분석실 통합의 시너지 효과와 분석 경쟁력 제고 효과도 기대하고 있다"고 말했다.

분석기술센터에는 반도체 분석에 필요한 FIB(Focused Ion Beam), TEM(Transmission Electron Microscope), SIMS(Secondary Ion Mass Spectrometry)와 같은 핵심 장비를 비롯해 다양한 분석장비를 모두 보유하고 있다.

FIB은 집속된 이온 빔을 시료에 입사하는 장비로, 스퍼터링(Sputtering)을 통해 단면을 형성하고 이를 관찰하거나 가스를 이용해 선택적으로 증착 및 식각을 한다. 분석 업무에서는 반도체 제품의 특정한 위치에서 단면을 분석하거나 시료를 가공하는 데 주로 사용된다.

TEM은 1천만 배율의 투과전자현미경으로, 고속의 전자 빔을 시료에 조사해 나노 단위의 아주 미세한 영역까지 확대, 관찰할 수 있는 장비다. 물질의 미세구조, 결함, 결정구조, 원자 배열 상태 등을 분석하거나 관찰 영역의 조성 및 화학 결합 상태 등을 분석하는 데 활용된다.

SIMS는 이온 빔을 시료에 입사, 충돌시켜 시료 표면에서 떨어져 나오는 이차 이온의 질량을 검출해 시료에 존재하는 극미량의 불순물 분포를 분석하는 장비다.

이 센터장은 "새로운 분석기술센터를 통해 투자 효율 증대와 운영 효율성 제고, 분석 기술 경쟁력 강화 등의 효과가 기대된다"며 "모든 분석 인프라를 하나의 공간과 운영체계로 통합함으로써 장비의 중복투자에 따른 예산 절감 등 효율성을 높일 수 있을 것으로 보인다"고 밝혔다.

SK하이닉스는 이 같은 장점을 살려 올해 연간 전사 분석 처리 능력을 기존 대비 30% 이상 향상시키겠다는 목표를 세웠다. 또 제품 개발에 필수적인 투과전자현미경(TEM) 분석 제공 소요 시간을 기존의 48시간에서 24시간으로 단축한다는 방침이다. 장기적인 관점에선 미래 분석 기술 전문가를 양성하고 협력사 지원 능력도 강화해 나갈 계획이다.

이재성 SK하이닉스 분석·측정지원센터 담당 TL은 "분석기술센터가 한 곳으로 통합되면서 물류 프로세스가 간소화되고 분석 지원 담당자와 협업도 강화될 것"이라며 "이를 통해 협력사의 분석 요청 대응 시간도 단축될 수 있을 것"이라고 말했다.

/장유미 기자(sweet@inews24.com)